Besonders hervorheben möchte ich an dieser Stelle die G10-GaN als jüngstes Mitglied unserer
neuen Produktgeneration. Sie hatte ihre Premiere im Herbst 2023 und hat es geschafft, noch vor
ihrer offiziellen Markteinführung von Texas Instruments, einem der weltweit führenden
Unternehmen in der Halbleiterindustrie, mit dem TI Supplier Excellence Award ausgezeichnet zu
werden. Nun, was ist das Besondere an unserer neuen G10-GaN und an dem Material
Galliumnitrid?
Ganz einfach, wir haben einen Tipping Point erreicht, an dem GaN dabei ist, immer mehr
Anwendungen zu erschließen. Zunächst ging es los mit Schnellladegeräten für Smartphones.
Danach folgten die großen Rechen- und Datencenter und die IT-Infrastruktur insgesamt.
Doch
auch dies ist erst der Anfang: Denn besonders mit der weiteren Ausbreitung von Anwendungen
der Künstlichen Intelligenz – KI – wir das Thema GaN-Leistungselektronik rasend schnell
voranschreiten. Denn eine Sache ist ganz klar: KI benötigt richtig viel Energie. Aktuell gibt es
Studien, die davon ausgehen, dass KI einen wesentlichen Anteil des weltweiten Stromverbrauchs
bis 2030 auf sich vereinen wird, mit den entsprechenden Auswirkungen auf die globalen CO2-
Emissionen. GaN wird hier eine entscheidende Rolle spielen, etwa um die Energieeffizienz der
großen Rechenzentren um bis zu 40 Prozent zu steigern.Und welchen Beitrag leistet hier unsere neue G10-GaN? Sie bietet eine kompakte Cluster-Lösung
für die Massenproduktion hochwertiger GaN-Bauelemente. Wir haben mit der G10-GaN ein
System auf den Markt gebracht, das eine signifikante Verbesserung der Gleichförmigkeit von
Schichten auf dem Wafer bei zugleich niedrigstem Partikelniveau bietet. Dies führt zu einer
weiteren Steigerung der Ausbeute, des yield, und zudem den niedrigsten Epitaxie-Kosten pro
Wafer, die in dieser Leistungsklasse auf dem Markt verfügbar sind. Und dies zahlt sich besonders
für das Weltklima aus: Nach unseren Berechnungen erlaubt eine Jahresproduktion von GaN-
Hochleistungs-Chips, die auf einem G10-GaN Cluster hergestellt werden – CO2 im Umfang des
Ausstoßes eines mittelgroßen Kohlekraftwerks einzusparen.
In der Leistungselektronik hat Galliumnitrid im letzten Jahr einen entscheidenden Wendepunkt
erreicht – die Kosten von GaN-Bauelementen haben in zahlreichen Anwendungen Kostenparität
mit Silizium erreicht. Das ist bemerkenswert, denn erst vor wenigen Jahren hat GaN seinen Weg
überhaupt in die Leistungselektronik gefunden – zunächst in den vorhin erwähnten
Spezialanwendungen. Das Übertreffen von Silizium im Kostenvergleich markiert nun einen Punkt,
ab dem sich für GaN die komplette Breite der Anwendungen erschließt: nicht nur die kompakten
Ladegeräte oder die effizienten Rechenzentren. Auch all die batteriebetriebenen Geräte, wie
Akkuschrauber und E-Bikes. Aber auch die zahlreichen Anwendungen niedrigerer Spannungen und
integrierter Schaltungen, die bisher mit Silizium adressiert wurden. Kurzum – fast alle
Anwendungen im Bereich der niedrigen und mittleren Spannungsklassen. Ein führender
Halbleiterhersteller aus der Leistungselektronik hat kürzlich angekündigt, sich vollständig GaN
zuzuwenden und seine Investitionen in Silizium schrittweise zurückzufahren.
Sie können sich sicher vorstellen, dass gerade in diesem, aktuellen Umfeld die Themen Kosten und
Effizienz für diese internationalen Großkonzerne in der Halbleiterindustrie von größter Bedeutung
sind. Sie fahren ihre Produktion hoch und fokussieren sich auf Skaleneffekte. Dabei müssen
natürlich höchste Anforderungen an die Qualität der Halbleiterbauelemente gewährleistet sein.
Und hier erweist sich unsere neue G10-GaN als äußerst zuverlässiges Werkzeug – sie wurde
schlichtweg für genau diesen Anwendungsfall entwickelt. Wir sind daher überzeugt, dass die G10-
GaN-Plattform eine Schlüsselrolle bei der Gestaltung der Zukunft der Leistungselektronik spielen
wird.
