RLDRAM für noch schnellere Netzwerk-Applikationen
Infineon Technologies liefert erste Muster seiner 256-MBit-RLDRAM-Chips (Reduced Latency DRAM) aus.
Diese Double Data-Rate-SDRAM-Speicherbausteine sind speziell für schnelle Netzwerk- und Cache-Applikationen ausgelegt. Sie kombinieren hohe Speicherkapazität, hohe Bandbreite und einen schnellen SRAM-ähnlichen, wahlfreien Speicherzugriff. Router und Switches können als Schlüsselelemente moderner Netzwerke jetzt mit diesen schnelleren Komponenten ausgerüstet werden, um den Anforderungen nach steigenden Datenraten gerecht werden zu können.
Das RLDRAM arbeitet mit einer Taktfrequenz von bis zu 300 MHz und hat ein DDR-Interface (Double Data Rate). Der jetzt verfügbare 256-MBit-Baustein ist in den Organisationen 8M x 32 und 16M x 16 erhältlich. Der Hochleistungs-Speicherbaustein bietet eine Datenrate von 2,4 GByte/s und den Zugriff auf 8 interne Speicherbänke. Das RLDRAM basiert auf einer neuartigen Speicherarchitektur, die einen sehr schnellen wahlfreien Zugriff mit Zykluszeiten von nur 25 ns erlaubt. Standard-DRAMs haben im Vergleich dazu Zykluszeiten von etwa 50 ns. Der neue Speicherbaustein schließe somit die Lücke zwischen SRAM und DRAM, verspricht Infineon.
Das RLDRAM ist in einem T-FBGA-Gehäuse (Thin Fine Pitch Ball Grid Array) verfügbar, das neben seinen geringen Abmessungen auch sehr gute elektrische und thermische Eigenschaften für Taktfrequenzen bis zu 300 MHz bietet. Das anfängliche RLDRAM-Produktangebot von Infineon und Micron beinhaltet die 256-Mbit-Komponenten mit 8M-x-32- und 16M-x-16-Organisation und wird in den Geschwindigkeitsklassen von 300, 250 und 200 MHz angeboten. Die jetzt von Infineon verfügbaren Muster mit 200 MHz kosten 54 Dollar.
